时间：2025/5/7 16:23:12
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211CC2S1160P是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该型号以其高效率和低导通电阻而著称，能够在高频工作条件下保持出色的性能表现。
10863984B可能是该芯片的一个具体批次编号或者封装标识，通常用于追踪生产信息和质量控制。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：160A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：100nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至175℃
211CC2S1160P具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗并提高整体效率。
此外，这款芯片还具备较高的开关速度，非常适合高频开关电源和其他需要快速响应的应用场景。
其坚固的结构设计和宽广的工作温度范围确保了即使在恶劣环境下也能稳定运行。
封装形式紧凑，便于安装和散热管理，进一步增强了其实用性。
该芯片适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换和控制场景，例如不间断电源(UPS)系统、电动汽车(EV)中的电机控制器、太阳能逆变器以及家用电器的智能控制模块等。
由于其卓越的电气特性和可靠性，211CC2S1160P成为许多工程师在设计高效能电路时的首选解决方案。
IRFP2907ZPBF
FDP157N06L
STW120N6F2
